IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写，中文名为绝缘栅双极晶体管。简单说，这是一种高压大电流的晶体管。它是场效应管和双极型晶体管的优点相结合的产物，既拥有高输入阻抗和高开关速度的优点，又具有大电流承受能力和低导通压降的特点，具有灵敏度高，噪声小，抗辐照性能好，故障率低等特点。
IGBT是由绝缘栅场效应管（IGFET）和双极型晶体管（BJT）二者耦合组成的三端器件，其输人特点类似于FET，但控制、驱动方式类似于BJT。IGBT的工作原理是通过控制栅极电压，来调节IGBT的扭曲度，从而控制流经整个器件的电流。
IGBT主要应用在高效能力的开关，例如：电机控制、变频控制、电源等。同时也广泛应用于风力和太阳能电池发电站、汇流排板、汽车电子、飞机电子等其他应用。
